Prima degli studi universitari ha conseguito a Taranto la maturità scientifica.
Nel 1986 ha conseguito la laurea, con 110 e lode, in Fisica presso l’Università degli Studi di Bari Aldo Moro, discutendo la tesi “Una procedura numerica per lo studio delle proprietà elettriche di semiconduttori non omogenei: applicazioni al GaAs” relatore: Prof. L. Vasanelli
Modellazione delle proprietà di trasporto dei semiconduttori e simulazione numerica delle proprietà elettriche
Dal 1989 al 1991 Università di Bari (Italia) Processi microelettronici, caratterizzazione elettrica di dispositivi e livelli profondi, modellazione di trasporto di vettori. PhD in Fisica; Tesi: Livelli profondi indotti da processi di deposizione nelle barriere GaAs Schottky.
1988 (3months) Employed at ITALTEL (modeling queues for telecommunications)
1988 (3 months) Employed at ITALSIEL (software)
1992 (one year) Postdoc at CNRS/LEPES, Grenoble ( Fabrication and characterization of epitaxial Silicon/Silicide Schottky Barriers
1992-1994, Fellowship at Lecce University
1995 (3 months), Fellowship. at INFN Pisa
1994-1998, Contract Resercher (ex art.23), CNR — IME, Lecce
1998-2001, Staff Researcher, CNR- IMM, Lecce Unit epitaxial Silicon/Silicide Schottky Barriers)
2001-present, Staff Senior Scientist, CNR-IMM, Lecce Unit, Italy

Il principale background scientifico riguarda le proprietà di trasporto di materiali e dispositivi semiconduttori, in particolare rivelatori di radiazioni, con recenti interessi nei sistemi di ridotta dimensionalità e dispositivi a base organica. In generale, si occupa di modellazione e caratterizzazione. Sviluppo di simulazioni numeriche (ad esempio: formazione del segnale di carica nei rivelatori di radiazioni) e tecniche di caratterizzazione avanzate (ad esempio: tempo di volo con laser pulsati per studiare i processi di cattura / raccolta della carica, effetto Pockels per studiare la distribuzione del campo elettrico nei rivelatori di massa, fotocorrente sistemi di mappatura) fanno parte della sua attività sul campo.
E’ responsabile del laboratorio di prove elettro-ottiche presso il CNR/IMM di Lecce.
In questi anni ha condotto attività di ricerca su rivelatori di raggi X per applicazioni mediche, lavorando in collaborazione con diversi gruppi di ricerca italiani (Bologna, Pisa e Napoli) su rivelatori GaAs fabbricati presso IMM. Si occupa anche di rivelatori Cd (Zn) Te per applicazioni mediche e astrofisiche, progetti leader finanziati da INFN (Istituto Nazionale di Fisica Nucleare), ASI (Agenzia Spaziale Italiana) e MIUR (Ministro dell’Università e della Ricerca).
In collaborazione con la Drexel University of Philadelphia, ha partecipato allo sviluppo di foto-rivelatori di nuova concezione che sfruttano regimi quantistici a dimensionalità ridotta per migliorare le loro prestazioni in termini di velocità e sensibilità. Sta collaborando attivamente con l’Università Drexel su fotorilevatori, varactor e nanofili per il fotovoltaico.
Altre attività di ricerca sono orientate allo studio delle proprietà (foto) elettriche di nanostrutture come Quantum Dots, nanorods, tetrapods, nanowires. Gli sforzi sono dedicati allo studio dei meccanismi di trasporto del vettore in nanostrutture singole / ordinate e alla loro funzionalizzazione per sfruttare le loro capacità per il fotovoltaico e il rilevamento dei gas.
L’attività sulle celle solari è stata recentemente orientata allo studio di celle solari a banda intermedia, basate su InAs Quatum Dots, e celle solari a eterogiunzione bulk, basate su nanoparticelle di ZnO e miscele polimeriche.
In collaborazione con l’Università di Montpellier, sta attualmente sviluppando nanodispositivi per rilevare / emettere radiazioni Terahertz.
E’ anche coinvolto nello sviluppo di MEMS capacitivi in tecnologia III-V per applicazioni RF.

PUBBLICAZIONI

Tra le numerose pubblicazioni si segnalano le più recenti dal 2011:

Capacitive RF MEMS Switches with T antalum-Based Materials, Anna Persano, Adriano
Cola, Giorgio De Angelis, Romolo Marcelli, Member, IEEE, Pietro Siciliano,and Fabio
Quaranta, Journal of Microelectromechanical Systems, 20, 355, 2011;

Spectroscopic response of CZT detectors obtained by the boron encapsulated vertical
Bridgman method, N. Auricchio, L. Marchini, E. Caroli, A. Cola, I. Farella, A. Donati, A.
Zappettini, Trans on Nucl. Science, 58 p.552, 2011;

La0.78r0.3MnO3 thin films deposited by pulsed laser ablation for spintronic applications, M Martino, M Cesaria, AP Caricato, G Maruccio, A Cola, I Farella physica status solidi (a) 208, 1817, 2011;

LT-GaAs Heterojunction MSM Photodetectors Improve Speed and Efficiency Marc Currie,Fabio Quaranta, Adriano Cola, Eric M. Gallo, and Bahram Nabet, App!- Phys. Leti. 99,203502, 2011;

Reliability Enhancement by Suitable Actuation Waveforms for Capacitive RF MEMS
Switches in III-V Technology, Anna Persano, Augusto Tazzoli, Adriano Cola, Pietro
Siciliano, Gaudenzio Meneghesso, and Fabio Quaranta J. Microelectromech. Systems, 99 p.1-6, 2012;

Photocurrent properties of single GaAs/A1GaAs Core/Shell Nanowires with Schottky
contacts, A Persano, A Taurino, P Prete, N Lovergine, B Nabet, A Cola, Nanotechnology 23 (46), 465701, 2012;

A highly tunable heterostructure metal-semiconductor-metal capacitor utilizing embedded 2-dimensional charge, P Dianat, RW Prusak, E Galo, A Cola, A Persano, F Quaranta, B Nabet, Applied Physics Letters 100 (15), 153505, 2012;

Charge Transients by Variable Wavelength Optical Pulses in CdTe Nuclear Detectors, A. Cola, I.Farella, M.Anni, and C. Martucci, IEEE Trans. On Nucl. Sci. 59, p.1569, 2012;

Performance Enhancement ofa GaAs Detector with a VerticalField and an Embedded Thin Low-Temperature Grown Layer M Currie, P Dianat, A Persano, MC Martucci, F Quaranta, A Cola, B Nabet, Sensors 13 (2), 2475-2483,2013;
Electric fields and dominant carrier transport mechanisms in CdTe Schottky detectors A Cola, I Farella, Applied Physics Letters 102 (11), 1 13502-113502-4, 2013;

High speed photodetectors based on a two-dimensional electron/hole gas heterostructure EM Gallo, A Cola, F Quaranta, JE Spanier Applied Physics Letters 102 (16), 161108- 161108-4, 2013;

Optimization of electron beam induced deposition process for the fabrication of diode-like P_/SiO2/W devices A Taurino, I Farella, A Cola, M Lomascolo, F Quaranta, M Catalano, Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, 31, 041805-8, 2013;

Optical and electrical properties of polycarbonate layers implanted by high energy Cu ions, V.Resta, L.Calcagnile, G. Quarta, L. Maruccio, A.Cola, L.Farella, G. Giancane, L. Valli, Nucl. Instrum. And Methods Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 312, p.42-47 (2013);

Electric Field and Current Transport Mechanisms in Schottky CdTe X-ray Detectors under Perturbing Optical Radiation, A Cola, I Farella, Sensors 13 (7), 9414-9434, 2013;
On the spatial inhomogeneity of charge generation and collection in inverted all polymer solar cells, Perulli, $ Lattante, A Persano, A Cola, M Di Giulio, M Anni Applied Physics Letters 103 (5), 053305-053305-4, 2013;

New configuration of metallic photocathodes prepared by pulsed laser deposition A Lorusso, A Cola, F Gontad, I Koutselas, M Panareo, NA Vainos, A Perrone , Nucl. Instrum & Meth. A 724, 1 October 2013, Pages 72-75, 2013:

An unconventional hybrid variable capacitor with a two-dimensional electron gas, P.
Dianat, R.W. Prusak, A. Persano, F. Quaranta, A. Cola and B. Nabet, IEEE Trans. Electron Devices, 61, 445-451 2014;

High-Speed High-Sensitivity Optoelectronic Device with Bilayer Electron and Hole Charge Plasma, B. Nabet, M. Currie, P. Dianat, F. Quaranta and A. Cola, ACS Photonics, 1, p.560-569, 2014;

An original method to evaluate the transport parameters and reconstruci the electric field in solid-state photodetectors A. Santi, M. Zanichelli, G. Piacentini, M. Pavesi, A. Cola and I. Farella, Appl. Phys.Lett. 104, 193503, 2014;

Non-conventional photocathodes based on Cu thin films deposited on Y substrate by
sputtering A Perrone, M D’Elia, F Gontad, M Di Giulio, G Maruccio, A Cola, NE Stankova, DG Kovacheva, E Broitman, Nucl. Instrum & Meth. A, Volume 752, Pages 27-32, 2014;
Comparative study of metal and non-metal ion implantation in polymers: Optical and
electrical properties V Resta, G Quarta, 1 Farella, L Maruccio, A Cola, L Calcagnile Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: 331, p.168-171, 2014;

On the transmission of terahertz radiation through silicon-based structures, A Persano, J Torres, VV Korotyeyev, YM Lyaschuk, P Nouvel, L Francioso, Journal of Applied Physics 116 (4), 044504, 2014;

CdTe X-Ray detectors under strong optical irradiation, A. Cola, I. Farella, Appl. Phys. Lett. 105, 203501, 2014;

Study of spatial inhomogeneity in inverted all – polymer solar cells: Effect of solvent and annealing, A Perulli, S Lattante, A Persano, A Cola, M Di Giulio, M Anni Journal of Polymer Science Part B: Polymer Physics 53 (11), 804-813 2015;

Anomalous capacitance enhancement triggered by light P Dianat, A Persano, F Quaranta, A Cola, B Nabet Selected Topics in Quantum Electronics, IEEE Journal of 21 (4), 1-5, 2015;

On the electrostatic actuation of capacitive RF MEMS switches on GaAs substrate A
Persano, F Quaranta, MC Martucci, P Siciliano, A Cola Sensors and Actuators A: Physical 232. 202-207, 2015;

Role of charge separation on two-step two photon absorption in InAs/GaAs quantum dot intermediate band solar cells, A Creti, V Tasco, A Cola, G Montagna, 1 Tarantini, A Salhi, A Al-Muhanna, A Passaseo, M Lomascolo, Appl. Phys. Lett. 108 (6) p.063901, 2016;

Subgap time offlight: A spectroscopic study of deep levels in semi-insulating CdTe: CLI Pousset, I Farella, S Gambino, A Cola, J. Appl. Phys. 119 (10) p.105701, 2016